一种宽温度范围的DFB激光器
著录事项变更
摘要
本实用新型提供一种宽温度范围的DFB激光器，该DFB激光器的外延层结构包括非InP基板，所述非InP基板上依次层叠设置有N型连接层、光栅掩埋层、N型光栅层、N型限制层、下波导层、量子阱、上波导层、P型上限制层、P型腐蚀阻挡层、P型连接层、第一P型势垒渐变层、第二P型势垒渐变层和P型欧姆接触层。该激光器所采用的光栅为N型半导体材料，使得N光栅的DFB激光器具有更低的激射阈值和更小的寄生电阻，可在更宽的温度范围内工作；采用采用倒装式外延生长方式，先生长P型层，再生长N型光栅制作层，量子阱层在制备光栅层之前的处延过程中生长，材料界面平整，材料质量好，缺陷密度小。
基本信息
专利标题 ：
一种宽温度范围的DFB激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921120027.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-17
授权号 ：
CN209766857U
授权日 ：
2019-12-10
发明人 ：
单智发张永姜伟陈阳华
申请人 ：
全磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区同龙二路567号第一、二、三层
代理机构 ：
厦门原创专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐东峰
优先权 ：
CN201921120027.9
主分类号 ：
H01S5/12
IPC分类号 ：
H01S5/12 H01S5/34 H01S5/343
法律状态
2022-03-04 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01S 5/12
变更事项 : 发明人
变更前 : 单智发 张永 姜伟 陈阳华
变更后 : 单智发 张永 陈阳华
变更事项 : 发明人
变更前 : 单智发 张永 姜伟 陈阳华
变更后 : 单智发 张永 陈阳华
2019-12-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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