一种集成电路金属互连结构
授权
摘要
本实用新型涉及集成电路技术领域，且公开了一种集成电路金属互连结构，包括第一金属层、第二金属层和连接金属层，所述第一金属层、第二金属层和连接金属层之间填设有介质层，所述连接金属层与第一金属层和第二金属层相邻处的介质层均开设有与多个第一连通孔，所述第一连通孔内填设有第一连接金属棒，多个所述第一连通孔之间贯通开设有多个第二连通孔，所述第二连通孔内填设有第二连接金属棒，所述介质层对应第一金属层的右侧侧壁均匀开设有多个应力分散槽。本实用新型使得电子传输更加快速稳定，使得电子传输分散均匀，保证了集成电路的金属连接性。
基本信息
专利标题 ：
一种集成电路金属互连结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921145281.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-22
授权号 ：
CN210113651U
授权日 ：
2020-02-25
发明人 ：
赵晓帆欧雪霞
申请人 ：
广州市晶硅光电科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市越秀区中山五路雨帽街13号4楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921145281.4
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2020-02-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210113651U.PDF
PDF下载
