IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护电路，涉及IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护技术领域。本实用新型包括电阻R4和电阻R5构成驱动电压V_HSDRV的分压电路，电阻R6、R7、R8和稳压芯片U1构成驱动电压V_HSDRV检测的比较基准电阻，上述元器件和一比较器芯片U2构成驱动电压V_HSDRV检测电路；还包括电阻R3、R10、R11构成退饱和保护电路；既能为IGBT退饱和提供保护，又能解决由于驱动电压过低提供保护，还适应当前种类繁多的IGBT参数要求。
基本信息
专利标题 ：
IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921151585.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-22
授权号 ：
CN210273486U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
付红玲李成忠栾彪谢辉冯晶郜峰利于思瑶张爽王伟
申请人 ：
江苏云意电气股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市铜山区经济开发区黄山路26号
代理机构 ：
徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
晏荣府
优先权 ：
CN201921151585.1
主分类号 ：
H02H7/20
IPC分类号 ：
H02H7/20
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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