一种用于MCU的宽电压输入无电容LDO电路

授权

摘要

本实用新型涉及集成电路的技术领域，公开了一种用于MCU的宽电压输入无电容LDO电路，包括第一负反馈环路，所述第一负反馈环路的前馈部通过电源切换模块与MCU供电电压相连，通过NMOS场效应管M1与LDO电路的输出端相连，其反馈部包括第一分压电阻模块，所述电源切换模块用于根据MCU供电电压的大小，控制电荷泵的开启和关闭，从而切换不同的电源为第一负反馈环路的前馈部提供电压，进而保证MCU供电电压在工作电压范围内变化时，NMOS场效应管M1始终导通，LDO电路的输出始终存在。本实用新型的电路结构紧凑，控制方便，便于普及和推广。

基本信息

专利标题：

一种用于MCU的宽电压输入无电容LDO电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921159859.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-22

授权号：

CN210323931U

授权日：

2020-04-14

发明人：

常成星冯旭丁晓兵胡锦通冯朝斌

申请人：

上海芯旺微电子技术有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区龙东大道3000号张江集电港1幢9楼B区906B室

代理机构：

上海唯智赢专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

姜晓艳

优先权：

CN201921159859.1

主分类号：

G05F1/56

IPC分类号：

G05F1/56