PbS量子点Si-APD红外探测器
授权
摘要
本实用新型提出一种PbS量子点Si‑APD红外探测器，所述探测器包括本征Si基底(1)、反射区(4)、N+掺杂区(3)、P掺杂区(2)、P+掺杂区(6)、PbS量子点层(7)、上电极(5)和下电极(8)，反射区(4)位于本征Si基底(1)正上方、N+掺杂区(3)位于反射区(4)下方、P掺杂区(2)位于N+掺杂区(3)下方、P+掺杂区(6)位于本征Si基底(1)下方、PbS量子点层(7)位于P+掺杂区(6)下方、上电极(5)位于反射区(4)上表面，以及下电极(8)位于PbS量子点层(7)下表面。本实用新型以PbS量子点层作为吸收层，采用纯电子注入的方式，使得本实用新型能够吸收近红外波段光波，具有光谱响应宽，响应度高，过噪声小，成本低，易于加工等优点。
基本信息
专利标题 ：
PbS量子点Si-APD红外探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921167047.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-24
授权号 ：
CN210224047U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
陆文强张昆付勰康帅冯双龙
申请人 ：
中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请人地址 ：
重庆市北碚区方正大道266号
代理机构 ：
北京申翔知识产权代理有限公司
代理人 ：
艾晶
优先权 ：
CN201921167047.1
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/0224 H01L31/032 H01L31/107 H01L31/18 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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