一种贯穿孔VIA电容的设计装置
授权
摘要
本实用新型提出了一种贯穿孔VIA电容的设计装置，在PCB板第一层和第N层之间的高速信号贯穿孔的外围设置GND贯穿孔；GND贯穿孔与高速信号贯穿孔之间填充绝缘材料，使GND贯穿孔、高速信号贯穿孔和绝缘材料共同构成同轴圆柱电容模型。其中PCB板为至少6层，至少包含2 GND层2高速信号层。绝缘材料的厚度为GND贯穿孔的半径减去高速信号贯穿孔的半径差，且2mil≤r1＜r2≤20mil，同轴圆柱电容模型的电容值的范围为[0.01pf—0.1pf]。本实用新型适用于高频信号的滤波，高速信号的频率范围在(75MHz,20GHZ)。本实用新型通过对VIA孔的设计，为信号增加无寄生电感的电容滤波。
基本信息
专利标题 ：
一种贯穿孔VIA电容的设计装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921186696.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-26
授权号 ：
CN210351774U
授权日 ：
2020-04-17
发明人 ：
李军阳
申请人 ：
苏州浪潮智能科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴中区吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢
代理机构 ：
济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人 ：
李修杰
优先权 ：
CN201921186696.6
主分类号 ：
H05K1/02
IPC分类号 ：
H05K1/02 H05K1/11
法律状态
2020-04-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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