一种新型射频传输结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型射频传输结构，包括硅基板及设置于硅基板上射频信号传输硅通孔TSV和若干个接地硅通孔TSV；射频信号传输硅通孔TSV设置于由接地硅通孔TSV围成的圆形中心，与其形成类同轴结构；射频信号传输硅通孔TSV的孔内直径大于接地硅通孔TSV的孔内直径。本实用新型中的射频传输结构通过小尺寸高深径比TSV与传统孔径的中空结构TSV相结合的方式，在实现垂直贯穿微电子芯片体内的电互连通路，支持芯片级三维层叠集成与封装的同时，进一步缩小封装尺寸，解决高频传输性能不佳，传统的TSV应力较大的缺点，实现高可靠性、低损耗的射频垂直互联结构。
基本信息
专利标题 ：
一种新型射频传输结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921188868.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN210575940U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
胡柳林何舒玮陈依军卢朝保吴晓东马盛林侯杰周鹏周文瑾王兵李强斌肖龙
申请人 ：
成都嘉纳海威科技有限责任公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园
代理机构 ：
成都正华专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈选中
优先权 ：
CN201921188868.3
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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