一种有机半导体材料溶剂退火炉
授权
摘要
本实用新型公开了有机半导体材料加工技术领域的一种有机半导体材料溶剂退火炉。所述退火炉由溶剂退火炉密封盖和溶剂退火炉主体两部分组成。其中，溶剂退火炉密封盖包括上、下连接的容器密封层和容器固定层，容器固定层底侧设置基底固定凹槽，用于固定样品基底，溶剂退火炉主体为四个侧板和一个底板围成的立方体，四个侧板中的一个或多个的外表面标有溶剂体积刻度。本实用新型可以对使用旋涂法沉积在基底表面的有机半导体分子在溶剂气氛下退火，进行分子构象和排布方面的优化，并精确控制退火条件获得更加优异的半导体性能。本实用新型操作简单、安全，尤其在有机半导体材料实验室研发和工业化生产等方面具有较大商业价值。
基本信息
专利标题 ：
一种有机半导体材料溶剂退火炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921192358.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-26
授权号 ：
CN210420258U
授权日 ：
2020-04-28
发明人 ：
李明亮李硕王国治魏峰
申请人 ：
有研工程技术研究院有限公司
申请人地址 ：
北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号
代理机构 ：
北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄家俊
优先权 ：
CN201921192358.3
主分类号 ：
C30B33/02
IPC分类号 ：
C30B33/02 H01L51/48
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2020-04-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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