宽频带感应式磁场传感器
授权
摘要
本实用新型提供了宽频带感应式磁场传感器，包括激励线圈、感应线圈、磁通门磁芯和TMR传感器；磁通门磁芯是一个空心圆柱体，激励线圈、感应线圈绕制于磁通门磁芯上，TMR传感器置于磁通门磁芯的内部中心处；宽频带感应式磁场传感器在激励线圈作用下，感应线圈输出与低频磁场相关的感应电信号，TMR传感器输出与高频磁场相关的感应电信号，以实现对矢量磁场的宽频带测量。激励线圈在外部激励信号的作用下，感应线圈输出与低频磁场相关的感应电信号，TMR传感器输出与高频磁场相关的感应电信号，从而实现对矢量磁场的宽频带测量。
基本信息
专利标题 ：
宽频带感应式磁场传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921225261.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN210864010U
授权日 ：
2020-06-26
发明人 ：
董浩斌罗望葛健刘欢张骋
申请人 ：
中国地质大学（武汉）
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号
代理机构 ：
武汉知产时代知识产权代理有限公司
代理人 ：
邹桂敏
优先权 ：
CN201921225261.8
主分类号 ：
G01R33/09
IPC分类号 ：
G01R33/09 G01R33/04 G01R33/06 G01R33/10 G01R33/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2020-06-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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