一种真空镀膜用高温裂解炉
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摘要
本实用新型公开一种真空镀膜用高温裂解炉，包括低温蒸发区、控制阀门、高温裂解区、加热和测温组件，低温蒸发区采用双层温区炉，两炉层之间通入冷却水，低温蒸发区内部是坩埚，高温区是裂解器，坩埚和裂解器的温度由电源控制器通过对灯丝的加热来控制，固体源装载在坩埚内，真空环境下，低温蒸发区域在300℃～400℃温度下进行加热，有机物便可不经液态，直接升华，成为蒸气，蒸气通过控制阀门直接引到高温裂解区，在850℃～1000℃的温度范围内进行裂解，最后通过喷嘴喷出。本实用新型主要蒸发蒸气压高但容易形成团簇的物质（比如As、Se、Sb等），适用于任何高精度的薄膜生长设备，其薄膜生长速率慢，可以每秒生长一个单原子层。
基本信息
专利标题 ：
一种真空镀膜用高温裂解炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921228491.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-30
授权号 ：
CN210314478U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
郭方准章贺磊
申请人 ：
大连齐维科技发展有限公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市高新园区龙头分园龙天路27号
代理机构 ：
大连博晟专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
杜树华
优先权 ：
CN201921228491.X
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C30B25/02
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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