一种基于GaN技术的驱动电源
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于GaN技术的驱动电源，通过将扩散区设置在两个源极蚀刻区之间且扩散区分别与两个所述源极蚀刻区接触形成一个隔离区，在隔离区的外围设置掺质区，能够提高集电极和基极的击穿电压，同时对漏源导通电阻不会产生影响；通过对驱动电源内部的GaN晶体管结构的改进，降低了GaN晶体管的输出的结电容，结电容的降低使得驱动电源的导通和关断损耗和GaN晶体管的栅电容均随之减低，这样能够使得电容的充电时间变短，从而提高了GaN晶体管的开关速度。
基本信息
专利标题 ：
一种基于GaN技术的驱动电源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921242727.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-02
授权号 ：
CN210245508U
授权日 ：
2020-04-03
发明人 ：
郭清腾卢凯万锋
申请人 ：
厦门亚锝电子科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区工业集中区同福路4号
代理机构 ：
福州市博深专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
董晗
优先权 ：
CN201921242727.5
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/06 H03K17/041 H03K17/60
法律状态
2020-04-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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