一种基于GaN技术的工业电源
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于GaN技术的工业电源，通过在外延层中的外延扩散区的中心位置设置第一掺质区和设置的第三掺质区形成耗尽区，通过设置第四掺质区形成薄耗尽区，这样使得第一掺质区能够全部耗尽，形成了本征半导体的结构，能够提高耐压性和GaN晶体管的散热性；本方案设计的GaN晶体管，能够有效抑制功率开关的关断电压尖峰和降低GaN晶体管的关断损耗和开关噪声，进一步提升产品的开关频率，实现产品的高频化，且能够进一步减小产品尺寸，从而提高产品的功率密度。
基本信息
专利标题 ：
一种基于GaN技术的工业电源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921260800.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-06
授权号 ：
CN210040205U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
郭清腾卡斯顿·比尔卢凯万锋
申请人 ：
厦门能瑞康电子有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区同安工业集中区思明园同福路4号1栋第五层
代理机构 ：
福州市博深专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
林振杰
优先权 ：
CN201921260800.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
