一种温度校准装置
授权
摘要
本专利公开了一种温度校准装置，包括：真空腔室；所述腔室的顶部开设有观察窗；测温设备，设置在所述真空腔室顶部，所处测温装置包括温度传感器和反射率传感器，所述温度传感器和反射率传感器与所述观察窗相对设置从而透过观察窗观察所述真空腔室内部的镀铝外延片；石墨基片托盘，设置在所述真空腔室中，所述镀铝外延片设置在所述石墨基片托盘之上，在所述石墨基片托盘的下端固定连接有旋转轴与所述旋转轴连接。通过设置上述旋转的检测方案检测温度和反射率从而得到准确的温度校准数值。
基本信息
专利标题 ：
一种温度校准装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921304194.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-13
授权号 ：
CN211170962U
授权日 ：
2020-08-04
发明人 ：
李辉朱金华周国军
申请人 ：
北京中科优唯科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区经海五路58号院5号楼7层708室
代理机构 ：
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宏伟
优先权 ：
CN201921304194.9
主分类号 ：
C30B25/16
IPC分类号 ：
C30B25/16 C30B23/06 C30B25/10
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/16
控制或调节
法律状态
2020-08-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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