开关控制电路

授权

摘要

本公开提出一种开关控制电路，涉及电子电路领域。利用“MOS晶体管”的组合实现开关控制电路，包括：第一NMOS晶体管，其栅极与开关控制端连通，其漏极与PMOS晶体管的栅极连接，其源极连接第一地；PMOS晶体管，其漏极与第一供电电压连接，其源极与第二NMOS晶体管的栅极和第三NMOS晶体管的栅极分别连接；第二NMOS晶体管，其漏极与第一输入端连接，其源极连接第一地；第三NMOS晶体管，其漏极与第一输出端连接，其源极连接第一地，其中，第一输入端与第一输出端之间用于连接负载支路，使其耐压值更大，导通电流更大，开关反应速率更高。

基本信息

专利标题：

开关控制电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921314578.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-14

授权号：

CN210111842U

授权日：

2020-02-21

发明人：

叶王建鲁其墙

申请人：

珠海格力电器股份有限公司

申请人地址：

广东省珠海市前山金鸡西路

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

许蓓

优先权：

CN201921314578.9

主分类号：

H02M1/088

IPC分类号：

H02M1/088