一种高效单晶体生产用烧结炉冷却装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种高效单晶体生产用烧结炉冷却装置,包括烧结炉主体、外罩、驱动电机、伺服电机和齿块,所述烧结炉主体的左端连接有外罩,且烧结炉主体的外侧安装有密闭壳,并且密闭壳的内部设置有导流管,所述固定座的左端安装有驱动电机,且驱动电机的左端连接有扇叶,并且固定座的外侧设置有挡盘。该高效单晶体生产用烧结炉冷却装置设置有通口、挡盘和扇叶,在烧结炉主体进行使用时通过挡盘对通口进行遮挡,在通入氮气时解除挡盘对通口的遮挡,无需打开仓门,提高了氮气在烧结炉主体内的停留时间,使其能更好的被利用,同时配合扇叶对烧结炉主体内的气体向外吸出,使烧结炉主体内保持良好的空气流通,提高装置的实用性。
基本信息
专利标题 :
一种高效单晶体生产用烧结炉冷却装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921338328.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-19
授权号 :
CN210314571U
授权日 :
2020-04-14
发明人 :
林志高
申请人 :
福建鑫磊晶体有限公司
申请人地址 :
福建省宁德市屏南县溪坪工业区
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921338328.9
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-04-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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