具有阶梯深槽屏蔽栅MOS结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种MOS结构，具体是一种具有阶梯深槽屏蔽栅MOS结构，属于半导体器件的制造技术领域。在所述N型外延层中形成沟槽，所述沟槽从第一主面向第二主面延伸；所述沟槽的下部内壁为阶梯形，形成阶梯形的屏蔽栅区，所述阶梯形的屏蔽栅区包括屏蔽栅和位于所述屏蔽栅两侧的第一氧化层；所述沟槽的上部形成栅极区，所述栅极区和屏蔽栅区之间通过氧化层隔开，所述栅极区包括栅极导电多晶硅和位于所述栅极导电多晶硅两侧的第二氧化层；所述具有阶梯深槽屏蔽栅MOS结构的屏蔽栅周围采用阶梯形氧化层，所述阶梯形氧化层的周围采用阶梯形沟槽，能够优化电场分布并提高器件耐压。
基本信息
专利标题 ：
具有阶梯深槽屏蔽栅MOS结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921344802.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-19
授权号 ：
CN211404508U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
钱振华张艳旺
申请人 ：
无锡橙芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10栋207
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201921344802.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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