一种低频EMI抑制滤波器
授权
摘要
本实用新型公开了一种低频EMI抑制滤波器，相较于一般以差模电感放置在差模电容之前的排布方式，本实用新型将差模电容C1，C2和C3排布位置在差模电容L1和L2之前，这样的匹配可以有效抑制低频干扰强烈的电源模块，此外，在差模电容C3之后增加了电阻R1，可以吸收电容释放的电流，从而避免触电危害。同时，在滤波电路尾部增加了一个特殊的滤波网络，组成为差模电容‑共模电容‑共模电感‑共模电容的电路网络滤波模型。负载阻抗为常数时，有效滤除低频所带来的谐波干扰，而C4又足以弥补前端滤波网络对差模干扰的吸收的不足，可以有效压制这个频段的干扰及其谐波干扰，很适合在CE102低频超标的电源模块使用。
基本信息
专利标题 ：
一种低频EMI抑制滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921368228.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-22
授权号 ：
CN210327380U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
魏慧超戈淳剑
申请人 ：
中科汇安科技成都有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区创业路18号9层9号
代理机构 ：
成都行之专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
温利平
优先权 ：
CN201921368228.0
主分类号 ：
H02M1/44
IPC分类号 ：
H02M1/44
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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