一种LPCVD系统法兰炉门
授权
摘要
本实用新型涉及法兰炉门技术领域，且公开了一种LPCVD系统法兰炉门，包括连接壁和活动炉门，所述活动炉门位于连接壁的一侧，所述连接壁四周开设有开孔，所述连接臂靠近正面的一侧外壁上固定安装有第一连接块。该LPCVD系统法兰炉门，当需要进行该活动炉门的快速密封操作时，储气箱通过一侧石英管和出气头往活动炉门的一侧输入气体，以气体形式提供构成薄膜的原料，反应尾气由排气口排除，通过控制面板控制加热块的温度到适宜高度，热能除加热基板到适当温度之外，还对气体分子进行激发、分解，促进其反应，分解生成物或反应产物沉积在基板表面形成薄膜，使活动炉门与连接壁一侧凹槽之间快速密封。
基本信息
专利标题 ：
一种LPCVD系统法兰炉门
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921375846.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-23
授权号 ：
CN210292841U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
李保李玲
申请人 ：
上海旻跃半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市奉贤区南桥镇展发路55弄8号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921375846.8
主分类号 ：
F27D1/18
IPC分类号 ：
F27D1/18 C23C16/44
IPC结构图谱
F
F部——机械工程；照明；加热；武器；爆破
F27
炉；窑；烘烤炉；蒸馏炉
F27D
一种以上的炉通用的炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉的零部件或附件
F27D
一种以上的炉通用的炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉的零部件或附件
F27D1/00
外壳；衬炉；壁；炉顶
F27D1/18
门框；门、盖、活动盖板
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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