一种高压半导体设备保护用快速熔断器
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摘要
一种高压半导体设备保护用快速熔断器,采用一个整体的方案,可替代目前高电压设备保护采用多个熔断器串联的方式,包括安装架、熔管、端盖、熔体、灭弧介质、熔体支架安装轴、熔体支架安装轴固定套、熔体支架、支架固定卡子、灭弧垫和导电触头。由于在熔断器熔管的内腔设置了一个熔体支架安装轴,并在安装轴上安装了多个熔体支架,可使熔体在熔管内沿长度方向均匀分布,也在额定电流要求提高,所需要排布的熔体数量增加时,不需要增大熔管直径,使熔体在熔体支架上从内到外多层排布,使额定电流最大可达2000A以上、额定电压达到10000VDC以上,分断能力达到30kA,可用来保护变频器、IGBT、高压电池组以及其它大型半导体设备。
基本信息
专利标题 :
一种高压半导体设备保护用快速熔断器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921399575.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-16
授权号 :
CN210607160U
授权日 :
2020-05-22
发明人 :
程瑜屈智云郭强曾美荣郭婧怡顾子涵
申请人 :
赫森电气(无锡)有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市惠山经济开发区风电园畅惠路6-1
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921399575.X
主分类号 :
H01H85/042
IPC分类号 :
H01H85/042 H01H85/05 H01H85/10 H01H85/47
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01H
电开关;继电器;选择器;紧急保护装置
H01H85/00
电流通过其可熔材料的部分,当此电流过大时,由于可熔材料的熔断而使电流中断的保护装置
H01H85/02
零部件
H01H85/04
熔断器,即保护装置的易耗部分,如熔丝管
H01H85/041
以类型为特征的
H01H85/042
高压,即高于1000伏的熔断器的一般构成或结构
法律状态
2020-05-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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