一种高压半导体设备保护用快速熔断器
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摘要
一种高压半导体设备保护用快速熔断器，采用一个整体的方案，可替代目前高电压设备保护采用多个熔断器串联的方式，包括安装架、熔管、端盖、熔体、灭弧介质、熔体支架安装轴、熔体支架安装轴固定套、熔体支架、支架固定卡子、灭弧垫和导电触头。由于在熔断器熔管的内腔设置了一个熔体支架安装轴，并在安装轴上安装了多个熔体支架，可使熔体在熔管内沿长度方向均匀分布，也在额定电流要求提高，所需要排布的熔体数量增加时，不需要增大熔管直径，使熔体在熔体支架上从内到外多层排布，使额定电流最大可达2000A以上、额定电压达到10000VDC以上，分断能力达到30kA，可用来保护变频器、IGBT、高压电池组以及其它大型半导体设备。
基本信息
专利标题 ：
一种高压半导体设备保护用快速熔断器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921399575.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-16
授权号 ：
CN210607160U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
程瑜屈智云郭强曾美荣郭婧怡顾子涵
申请人 ：
赫森电气（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市惠山经济开发区风电园畅惠路6-1
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921399575.X
主分类号 ：
H01H85/042
IPC分类号 ：
H01H85/042 H01H85/05 H01H85/10 H01H85/47
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01H
电开关；继电器；选择器；紧急保护装置
H01H85/00
电流通过其可熔材料的部分，当此电流过大时，由于可熔材料的熔断而使电流中断的保护装置
H01H85/02
零部件
H01H85/04
熔断器，即保护装置的易耗部分，如熔丝管
H01H85/041
以类型为特征的
H01H85/042
高压，即高于1000伏的熔断器的一般构成或结构
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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