背氦循环管路
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摘要
本实用新型提供了一种背氦循环管路，主要包括：一前级支路，前级支路的第一端位于腔室前级阀和腔室后级阀之间，前级支路的第二端位于主泵和前级泵之间；前级支路包含一支路前级阀和一节流孔，支路前级阀连接在腔室前级阀和腔室后级阀之间，节流孔连接支路前级阀，节流孔连接在主泵和前级泵之间。据此，在现有制程的基础上只需要增加所述前级支路，从而对原有的制程设计的影响较小；能够在多个所述背氦循环管路共用一供气主路时，即使其中某个腔室的背氦循环管路打开而造成其他作业中的背氦的回流，但是也能使得所述作业中的腔室的背氦流量能够满足背氦流量设计要求，能够有效保证在作业过程中各个反应腔室的背氦背压的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
背氦循环管路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921422025.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN210245464U
授权日 ：
2020-04-03
发明人 ：
朱怀昊刘东升袁鹏华
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾浩
优先权 ：
CN201921422025.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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