助焊剂容置装置及倒装设备
授权
摘要
本申请实施例提供一种助焊剂容置装置及倒装设备，涉及半导体技术领域。该装置包括容置单元、动力单元及深度切换单元。容置单元包括底板及至少一端开口的容置筒，底板设置在容置筒内，底板的第一侧面与容置筒内壁形成用于容置助焊剂的容置槽。动力单元与深度切换单元连接，用于向深度切换单元提供动力。深度切换单元的一端与底板的第二侧面连接，深度切换单元的另一端与动力单元连接，用于在动力单元提供的动力的作用下，带动底板在容置筒内移动，以改变容置槽的深度。其中，第一侧面与第二侧面相对设置。该助焊剂容置装置可适用于不同深度要求的产品，不需要根据不同产品的高度要求更换倒装设备中的助焊剂容置装置。
基本信息
专利标题 ：
助焊剂容置装置及倒装设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921424548.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN210040163U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
李利
申请人 ：
甬矽电子(宁波)股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张磊
优先权 ：
CN201921424548.3
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 H01L21/683 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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