利用半导体预热的气雾发生装置

授权

摘要

本实用新型提供了一种利用半导体预热的气雾发生装置，其包括：一外壳，其具有一进气道和一加热腔，进气道连通所述加热腔；一半导体制冷片，其具有一冷端和一热端，所述冷端连接于所述外壳，所述热端连接所述进气道；一电路板，连接所述半导体制冷片.烟气通过进气道时，半导体制冷片的冷端将热量转移给热端，空气通过进气道的时候，将热端的热量带走，然后进入加热腔，可将空气进行预热，使加热腔内出来的烟气更加均匀，不至于一口热一口凉，口感不均匀的现象，这种将外壳的热量通过半导体制冷片转移到进气道，可以充分利用外壳的热量，防止外壳的热量流失，提高了热量的利用率。

基本信息

专利标题：

利用半导体预热的气雾发生装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921429183.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-28

授权号：

CN210809289U

授权日：

2020-06-23

发明人：

方勇杨小东胡廷东

申请人：

深圳市新宜康科技股份有限公司

申请人地址：

广东省深圳市宝安区沙井街道新沙路鑫鑫田工业区6栋厂房

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201921429183.3

主分类号：

A24F40/40

IPC分类号：

A24F40/40 A24F40/46 A24F40/10