一种基于NMOS管的宽电压输入的直流降压电路
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摘要
本实用新型公开了一种基于NMOS管的宽电压输入的直流降压电路，包括：NMOS管和依次串联的稳压电路、滤波电路和稳压芯片，其中NMOS管和稳压电路形成并联关系本实用新型结构简单、所用元器件少、体积小、成本低，且本实用新型通过选择合适的NMOS管，能够实现高达120V的直流降压，且能提供20ma以上的电流驱动能力。
基本信息
专利标题 ：
一种基于NMOS管的宽电压输入的直流降压电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921435786.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-31
授权号 ：
CN211377896U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
刘雷礼
申请人 ：
南京伟思医疗科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市雨花台区宁双路19号9栋
代理机构 ：
南京冠誉至恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭晓敏
优先权 ：
CN201921435786.4
主分类号 ：
H02M3/156
IPC分类号 ：
H02M3/156
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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