一种H桥逆变电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种H桥逆变电路，包括场效应管HJMOS1、场效应管HJMOS2、场效应管HJMOS3、场效应管HJMOS4、电阻HR1、电阻HR2、电阻HR3和电阻HR4，所述电阻HR1的一端连接第一路正弦波信号，电阻HR1的另一端连接电阻R4、二极管Z2和场效应管HJMOS1的栅极，电阻R4的另一端连接二极管Z1的阳极、场效应管HJMOS1的源极、电感L2和地，本实用新型通过采用H桥结构，对电压进行逆变操作，并且在电路中增加了滤波吸收电路，使交流电压波形质量更好，并去除尖刺脉冲干扰。
基本信息
专利标题 ：
一种H桥逆变电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921457384.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-04
授权号 ：
CN210490746U
授权日 ：
2020-05-08
发明人 ：
孙厚勋汪小波李森岗
申请人 ：
上海圣速电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区外冈镇汇仁路1500号2幢三层B区
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921457384.4
主分类号 ：
H02M7/5387
IPC分类号 ：
H02M7/5387
法律状态
2020-05-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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