一种低成本LTE-FDD频段智能手机射频电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种低成本LTE‑FDD频段智能手机射频电路，包括射频前端、功率放大器和射频开关，射频前端负责2G信号放大和天线开关，功率放大器实现3G+4G信号放大，功率放大器输出信号到射频开关实现不同频段的切换，射频开关输出信号到双工器进行滤波，双工器输出信号到射频前端内部的天线开关，信号经由天线开关输出到天线。本实用新型创新提出使用包含2GPA功能的Frond End Module搭配一个LTE FDD中低频PA外加射频开关方案来降低整体射频PA的成本，比Phase 2全频段方案预估可以便宜一半成本。
基本信息
专利标题 ：
一种低成本LTE-FDD频段智能手机射频电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921489800.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-09
授权号 ：
CN210183375U
授权日 ：
2020-03-24
发明人 ：
周爱金
申请人 ：
上海锐翊通讯科技有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区新桥镇莘砖公路258号34幢1602室
代理机构 ：
上海首言专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘宏博
优先权 ：
CN201921489800.9
主分类号 ：
H04M1/02
IPC分类号 ：
H04M1/02 H04B1/401
法律状态
2020-03-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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