薄膜桥压式氢气氛传感器

授权

摘要

本实用新型公开了薄膜桥压式氢气氛传感器，包括依次设置的基底层、绝缘层、阻挡层与敏感电阻层；所述敏感电阻层设置有敏感电阻桥路；所述敏感电阻桥路包括氢敏感元件与温度补偿元件；所述阻挡层设置于温度补偿元件上下两侧层面，用于隔绝氢气和所述温度补偿元件；所述基底层用于绝缘层载体；所述绝缘层用于基底层隔离。本实用新型薄膜桥压式氢气氛传感器能够成倍增敏并自带温度补偿功能，能够适用于微间隙测量，减小了环境交叉干扰。

基本信息

专利标题：

薄膜桥压式氢气氛传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921519648.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-12

授权号：

CN210626387U

授权日：

2020-05-26

发明人：

庄志张毅李树勇

申请人：

中国工程物理研究院总体工程研究所

申请人地址：

四川省绵阳市绵山路64号

代理机构：

北京天奇智新知识产权代理有限公司

代理人：

杨春

优先权：

CN201921519648.4

主分类号：

G01N27/12

IPC分类号：

G01N27/12