一种低功耗EMCCD高压正弦驱动信号发生电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种低功耗EMCCD高压正弦驱动信号发生电路，包括二级线圈、NMOS管、LCR振荡电路与二极管；方波时序信号输入NMOS管的栅极，NMOS管的漏极与初级线圈输入端连接；二级线圈次级线圈输出端经LCR振荡回路输出正弦波，通过控制二级线圈初级回路的输入电压调整输出的正弦波高电平；通过调整二极管的偏置电压调整输出的正弦波低电平；通过控制NMOS管栅极驱动信号频率、相位调整正弦波信号的频率、相位；通过调整驱动信号的占空比和LCR回路的电容C调整正弦波波形。简化了高压正弦波驱动信号的产生，功耗低、结构简单、调整方便；可用于EMCCD器件的高压增益驱动，实现电子倍增，从而实现信号的放大。
基本信息
专利标题 ：
一种低功耗EMCCD高压正弦驱动信号发生电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921528389.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-16
授权号 ：
CN210157280U
授权日 ：
2020-03-17
发明人 ：
沈吉那启跃戴放于洪洲
申请人 ：
中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区龙山路89号
代理机构 ：
南京纵横知识产权代理有限公司
代理人 ：
耿英
优先权 ：
CN201921528389.1
主分类号 ：
H04N5/372
IPC分类号 ：
H04N5/372 H03B5/24
法律状态
2020-03-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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