一种SOI横向恒流二极管
授权
摘要
本实用新型提供了一种SOI横向恒流二极管，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底、埋氧层、第一导电类型轻掺杂硅、第二导电类型扩散阱区、第一导电类型沟道注入区、第二导电类型重掺杂区、第一重掺杂区、第二重掺杂区、氧化介质层、金属阳极和金属阴极，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区均为第一导电类型。本实用新型恒流二极管采用SOI技术，可有效防止集成系统中衬底漏电流带来的不利影响。
基本信息
专利标题 ：
一种SOI横向恒流二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921538715.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN210224032U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
乔明何林蓉邓琪
申请人 ：
成都矽能科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
葛启函
优先权 ：
CN201921538715.7
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L29/06 H01L29/861 H01L21/329
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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