去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置，包括设有通道的箱体、驱动四氟化硅气体流经通道的风机组件、以及对流经通道的四氟化硅气体进行过滤的过滤组件，过滤组件包括沿四氟化硅气体输送方向依次设置的用于吸附水和二氧化碳的第一吸附机构和用于吸附二氧化碳和氟化氢的第二吸附机构，第一吸附机构包括分子筛，第二吸附机构包括吸附板，吸附板包括孔板和涂覆于孔板表面的共价三嗪环骨架材料层。本实用新型中，由于共价三嗪环骨架具有丰富的氮原子骨架和稳定的化学结构，可有有效吸附四氟化硅气体中的二氧化碳和氟化氢，以提高高纯SiF4气体的纯度。
基本信息
专利标题 ：
去除高纯四氟化硅气体中二氧化碳和氟化氢的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921539238.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN211078488U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
金向华侯倩王新喜孙猛温海涛张红敏刘晶
申请人 ：
苏州金宏气体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市相城区黄埭镇潘阳工业园安民路6号
代理机构 ：
苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陆金星
优先权 ：
CN201921539238.6
主分类号 ：
C01B33/107
IPC分类号 ：
C01B33/107
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/08
含卤素的化合物
C01B33/107
卤化硅烷
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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