基于全变差正则化法的硅片电阻率测量装置及系统
授权
摘要
本实用新型公开一种基于全变差正则化法的硅片电阻率测量装置及系统，采用了可移动式的上、下电极圆盘和可升降的测试台，提供八个电极或者十六个电极两种选择模式，可以减少电极的数量使自动化程度提高。将硅片放在测试台上后，不需手动放置电极和调整电极位置，减少了人为误差。相较于四探针测试仪的探针方式，本实用新型测量装置结构简单，测量方便，能很好地应用到工业硅片的检测中。
基本信息
专利标题 ：
基于全变差正则化法的硅片电阻率测量装置及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921545528.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-16
授权号 ：
CN210775661U
授权日 ：
2020-06-16
发明人 ：
刘新福李倩文王梦丹吴鹏飞葛帅张剑军
申请人 ：
河北工业大学
申请人地址 ：
天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#
代理机构 ：
天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张国荣
优先权 ：
CN201921545528.1
主分类号 ：
G01R27/14
IPC分类号 ：
G01R27/14 G01R1/04 G06T7/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性，例如时间常数的实值或复值测量
G01R27/14
通过测量从一基准源所得到的电流或电压来测量电阻值
法律状态
2020-06-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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