一种循环槽体潜排系统

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及链式湿法处理设备技术领域，具体公开了一种循环槽体潜排系统，包括硅片、主槽和副槽，所述主槽的两侧均设有溢流区，溢流区通过管道与副槽连通，主槽的上部设有多个间隔均匀分布的传动辊，硅片的上表面附有保护液；所述循环槽体潜排系统还包括潜排组件和用于将副槽内的腐蚀液输送到主槽内的输送组件。该循环槽体潜排系统的硅片在传动辊的转动下水平移动进入主槽时，硅片的下表面与腐蚀液接触并发生化学腐蚀反应，反应产生的水及反应物会存留在传动辊与传动辊之间的腐蚀液中，通过潜排管的排水口可以及时流向副槽，使得主槽区域表层液面无因水流造成的明显波动，而且局部腐蚀液均匀性得到很好的保证。

基本信息

专利标题：

一种循环槽体潜排系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921562532.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-19

授权号：

CN210182344U

授权日：

2020-03-24

发明人：

戴洪烨王相军

申请人：

上海釜川自动化设备有限公司

申请人地址：

上海市嘉定区澄浏公路52号39幢2楼J1078室

代理机构：

北京专赢专利代理有限公司

代理人：

于刚

优先权：

CN201921562532.9

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67 H01L21/02

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2021-08-27 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20190919
授权公告日 : 20200324
终止日期 : 20200919

2020-03-24 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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