一种半导体组件及直流断路器
授权
摘要
本实用新型提供的一种半导体组件及直流断路器，该半导体组件包括：电容器组、IGBT压装单元及至少一二极管压装单元。通过电容器组、IGBT压装单元及二极管压装单元的布局方式，可以有效利用电容器组与IGBT压装单元之间的空隙，使得本实用新型实施例提供的半导体组件的结构更加紧凑；还缩短了二极管压装单元与电容器组之间连接线的长度，从而降低了回路中的电感，保障了器件的安全；这样的布局方式，使电容器组与二极管压装单元之间的距离最短，避免了半导体组件内部电流转移过程中发生电压过冲的问题；有利于在小型化的直流断路器中进行应用。并且该半导体组件也可作为可长期持续通流可实现大电流双向关断的半导体单元独立应用于一般直流电网装置。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体组件及直流断路器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921608810.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-25
授权号 ：
CN210469255U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
乔丽王成昊王治翔张晓龙
申请人 ：
全球能源互联网研究院有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
张琳琳
优先权 ：
CN201921608810.X
主分类号 ：
H03K17/567
IPC分类号 ：
H03K17/567 H03K17/08 H03K17/081 G05F1/46
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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