一种区熔炉热量反射装置
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型提供了一种区熔炉热量反射装置,包括底盘、立柱以及设置在立柱上的反射片;所述底盘为圆环结构,底盘上设有不少于一个立柱;每个所述立柱上设有不少于一个反射片,反射片朝向底盘轴线方向放置。本实用新型所述的一种区熔炉热量反射装置通过利用单晶硅片将单晶硅棒向外辐射的热量再反射到单晶硅棒上,能降低单晶硅棒表面轴向和径向温度梯度,可以避免单晶硅棒因冷却过快而产生裂纹,同时使单晶硅棒表面轴向温度梯度减小,缩小了单晶表面与单晶中心的温度差,使单晶硅棒的径向电阻率更均匀,提升单晶硅的产品质量。

基本信息
专利标题 :
一种区熔炉热量反射装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921625433.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-26
授权号 :
CN211546718U
授权日 :
2020-09-22
发明人 :
涂颂昊安爱博李伟凡张志富赵阳王遵义孙健
申请人 :
天津中环领先材料技术有限公司
申请人地址 :
天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内
代理机构 :
天津滨海科纬知识产权代理有限公司
代理人 :
戴文仪
优先权 :
CN201921625433.0
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B13/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2022-05-13 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 29/06
登记生效日 : 20220429
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 天津中环领先材料技术有限公司
变更后权利人 : 天津中环领先材料技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内
变更后权利人 : 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区(环外)海泰东路12号
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 中环领先半导体材料有限公司
2020-09-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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