一种用于薄膜太阳能芯片制造的硫化镉的生产系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于薄膜太阳能芯片制造的硫化镉的生产系统，包括通过管道依次连通的硫酸镉反应釜、过滤器、静置桶、硫酸镉加热器和硫化镉反应釜；其中，所述硫化镉反应釜的顶部开设有气孔，所述气孔内装配有硫化氢气体管，所述硫化氢气体管通入所述述硫化镉反应釜的底部。该生产系统结构简单，生产成本低，效率高；其成产方法中直接采用镉锭，原料利用方便；且无需额外加热，耗能低，反应充分，生产方法简单，易操作实施，所得的硫化镉的纯度高(纯度可达99.99％)，呈均匀的黄色粉末状，适用于企业工业化生产。
基本信息
专利标题 ：
一种用于薄膜太阳能芯片制造的硫化镉的生产系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921634519.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-27
授权号 ：
CN210683240U
授权日 ：
2020-06-05
发明人 ：
李灿涛王鹏年
申请人 ：
陕西东惠光电材料科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市国家航空高技术产业基地星光路航空创新创业园2号厂房内
代理机构 ：
西安睿通知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
惠文轩
优先权 ：
CN201921634519.X
主分类号 ：
C01G11/02
IPC分类号 ：
C01G11/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G11/00
镉的化合物
C01G11/02
硫化物
法律状态
2020-06-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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