本实用新型涉及一种太赫兹波探测用热释电芯片的红外吸收膜结构，包括吸收层、热释电芯片层和悬空绝热层，吸收层、热释电芯片层和悬空绝热层从上至下顺次相邻层叠设置，热释电芯片层的上表面和悬空绝热层的上表面分别设有引线，且位于热释电芯片层的上表面和悬空绝热层的上表面的两根引线分别与热释电芯片层的上下表面一一对应电连接。本实用新型通过热释电芯片层可以大幅度提高探测器的本征热释电性能和探测能力，通过吸收层可以大幅提高对中红外波段的吸收特性，同时将高吸收率的波段覆盖范围拓展至远红外甚长波波段，为太赫兹波的探测提供了新的可选方案，通过悬空绝热结构，降低了热释电芯片的热扩散和损耗，提高能量利用率和芯片温度变化量。