一种碳化硅炉中坩埚底部测温结构
授权
摘要
本实用新型属于碳化硅晶体制作设备技术领域，具体涉及一种碳化硅炉中坩埚底部测温结构。包括坩埚支撑杆、密封装置和红外测温仪；坩埚设于坩埚支撑杆顶端，炉底固设于坩埚支撑杆下端；密封装置设于炉底下部，测温仪固定于密封装置下部。本实用新型改变了传统的只对坩埚顶部检测的单一性，并增加对视窗口玻璃的吹扫功能，避免了视窗玻璃污染导致的红外测温仪读数不准的问题，从而真实的反馈Sic晶体生长过程中轴向温度梯度，有利于保证晶体质量。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅炉中坩埚底部测温结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921669848.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-08
授权号 ：
CN210802692U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
胡建荣高宇倪军夫董熔成姜耀天阮文星石明智傅林坚曹建伟
申请人 ：
浙江晶盛机电股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市上虞区通江西路218号
代理机构 ：
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 ：
周世骏
优先权 ：
CN201921669848.8
主分类号 ：
G01J5/00
IPC分类号 ：
G01J5/00 G01J5/02 C30B29/36 C30B35/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J5/00
辐射高温测定法
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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