基于GaNFET的纳秒级高压脉冲调制器
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于GaNFET的纳秒级高压脉冲调制器，包括N个一级驱动电路、N个二级驱动电路、N个脉冲调制组件和1个包含N个初级绕组的高压脉冲变压器。一级驱动电路接收外部提供的定时信号，并将其转换为+5V脉冲电压幅度的触发信号，送给二级驱动电路；二级驱动电路通过光感应调器件和独立供电的+12V和‑5V电源，对一级驱动电路送来的触发信号进行放大，并实现与一级驱动电路的隔离，为脉冲功率组件的调制开关GaNFET提供驱动信号；脉冲功率组件为高压脉冲变压器初级提供激励脉冲；高压脉冲变压器将初级激励脉冲升压，输出负载所需的0‑10kV高压脉冲。
基本信息
专利标题 ：
基于GaNFET的纳秒级高压脉冲调制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921696175.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-11
授权号 ：
CN210608957U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
杨军石浩杨景红杨明
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十四研究所
申请人地址 ：
江苏省南京市雨花台区国睿路8号
代理机构 ：
南京知识律师事务所
代理人 ：
高娇阳
优先权 ：
CN201921696175.5
主分类号 ：
H02M9/00
IPC分类号 ：
H02M9/00 H02M9/02 H03K3/36
相关图片
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210608957U.PDF
PDF下载
