一种潘宁离子源
授权
摘要
本实用新型属于离子源装置技术领域,公开一种潘宁离子源,包括等离子腔体,所述等离子腔体包括同轴设置且依次连接的第一壳体、第二壳体、第三壳体;所述第一壳体的顶端设置有阴极元件,所述第二壳体内设置有阳极元件,所述第二壳体外设置有磁场机构,所述第三壳体内设置有对阴极元件;所述潘宁离子源还包括冷却腔体,所述冷却腔体设置在所述第一壳体顶部,所述冷却腔体内的冷却液与所述第一壳体的顶端接触并将所述阴极元件覆盖在内。本实用新型的一种潘宁离子源,设置有冷却腔体,注入液体后可以使等离子腔体的密封度增加,在冷却等离子腔体的同时达到密封效果。
基本信息
专利标题 :
一种潘宁离子源
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921701555.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-11
授权号 :
CN211227314U
授权日 :
2020-08-11
发明人 :
刘慧超陈朝斌
申请人 :
东莞东阳光高能医疗设备有限公司
申请人地址 :
广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区光大We谷A1栋1318号房
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921701555.3
主分类号 :
C23C14/34
IPC分类号 :
C23C14/34 C23C14/32 H01J27/14
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2020-08-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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