超大容量可靠闪存
授权
摘要
自主设计研发HR29GL01M型大容量高可靠存储器芯片，适用于军用航空、航天、兵器等领域。采用65nm工艺制造，页写时间低至15ns，存取时间低至90ns。允许256字/512字节连续读写。1Gbit超大容量的设计解决了国内高可靠闪存大容量的难题，同时VIO的宽电压范围设计(1.65V～3.6V)满足了最新型FPGA的电压接口需求，使存储器数据端可工作在1.8V的逻辑电压下，大大降低了整机电路的功耗。独特的CSOP56线金属陶瓷封装使该产品工作温度范围在‑55℃～125℃，可应用在航空航天等特殊领域。
基本信息
专利标题 ：
超大容量可靠闪存
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921702133.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-11
授权号 ：
CN211181644U
授权日 ：
2020-08-04
发明人 ：
周宗辉
申请人 ：
北京华芯微半导体有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区杏石口路23号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921702133.8
主分类号 ：
G11B33/04
IPC分类号 ：
G11B33/04 G06F3/06
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B33/00
本小类其他各组中不包含的结构部件、零部件或附件
G11B33/02
柜；箱；台；在其中或其上设备的布局
G11B33/04
改装用来存放记录载体的
法律状态
2020-08-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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