基于谐振模腔辐射的高增益天线阵列结构
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摘要

本实用新型提供一种基于谐振模腔辐射的高增益天线阵列结构,包括基板、辐射缝隙、耦合缝隙、谐振模腔和馈电波导,电磁波在耦合缝隙处产生,进一步通过耦合缝隙耦合至辐射缝隙,通过基板分为左右两处环流,在辐射缝隙处形成磁场方向一致的电磁波,馈电波导进一步使电磁波形成受约束的导行波。本实用新型通过在天线中引入谐振模腔进行辐射,一个耦合缝隙可以对多个辐射缝隙耦合,产生电磁波辐射,进而组成高增益天线阵列结构,可以降低天线的结构复杂程度,提高天线的性能,通过引入谐振模腔,减少了一级馈电网络,降低了馈线的整体损耗,具有传输损耗小、回波损耗高、工作带宽宽、拆装便利、一致性好、便于加工,同时保证了阵列的整体带宽。

基本信息
专利标题 :
基于谐振模腔辐射的高增益天线阵列结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921736632.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-16
授权号 :
CN210296618U
授权日 :
2020-04-10
发明人 :
刘锦霖何仲夏陈国胜梁稳
申请人 :
盛纬伦(深圳)通信技术有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市南山区粤海街道高新南十道深圳湾科技生态园9栋A座3号楼5楼9A56号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921736632.9
主分类号 :
H01Q1/36
IPC分类号 :
H01Q1/36  H01Q1/50  H01Q13/18  H01Q21/00  H01Q21/06  
法律状态
2020-04-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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