小功率片内整流桥电路
授权
摘要
本实用新型涉及整流电路领域,公开了小功率片内整流桥电路，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一驱动控制电路和第二驱动控制电路，第一PMOS管的栅极和源极短接，第二PMOS管的栅极和源极短接，第一PMOS管的源极电连接第二PMOS管的源极，第一PMOS管的漏极电连接第一NMOS管的漏极，第二PMOS管的漏极电连接第二NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极均接地，第一驱动控制电路控制第一NMOS管的通断，第二驱动控制电路控制第二NMOS管的通断，第一NMOS管的漏极电连接第一交流输入端，第二NMOS管的漏极电连接第二交流输入端。本实用新型中交流电分别经第一PMOS管或者第二PMOS管输出直流信号，从而降低压降，提高整流效率。
基本信息
专利标题 ：
小功率片内整流桥电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921743554.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-17
授权号 ：
CN210444192U
授权日 ：
2020-05-01
发明人 ：
赵寿全刘桂芝
申请人 ：
无锡麟力科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山经济技术开发区芙蓉中三路99号瑞云三座
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱晓林
优先权 ：
CN201921743554.5
主分类号 ：
H02M7/219
IPC分类号 ：
H02M7/219
法律状态
2020-05-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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