一种超导腔用低温磁场补偿系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种超导腔用低温磁场补偿系统，包括磁屏蔽筒体和测试吊架，所述测试吊架用于连接超导腔，将所述超导腔固定在所述磁屏蔽筒体内；其特征在于，还包括一励磁系统；所述励磁系统用于安装在所述超导腔上，对地磁场和超导腔工装设备的剩磁进行抵消或补偿。本系统能够降低超导腔区域的环境磁场，并可以实现超导腔磁场环境的灵活设置，进行超导腔的性能提升实验研究。
基本信息
专利标题 ：
一种超导腔用低温磁场补偿系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921751126.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-18
授权号 ：
CN211505846U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
米正辉沙鹏贺斐思翟纪元
申请人 ：
中国科学院高能物理研究所
申请人地址 ：
北京市石景山区玉泉路19号(乙)
代理机构 ：
北京君尚知识产权代理有限公司
代理人 ：
司立彬
优先权 ：
CN201921751126.7
主分类号 ：
G01R33/00
IPC分类号 ：
G01R33/00 G01R1/18
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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