一种半导体雷浪涌抑制器
授权
摘要

本实用新型公开了一种半导体雷浪涌抑制器,包括壳体和电容,电容位于壳体的底部,壳体的内部分别设置有雷浪涌抑制结构和接线端子,雷浪涌抑制结构分别与电容和接线端子电性连接,电容的外表面设置有吸热部,吸热部的外表面设置有防爆部,吸热部的内部还设置有导热部,导热部将吸热部和电容外表面的热量传导至防爆部处,防爆部的上表面与壳体的下表面固定连接。该半导体雷浪涌抑制器,通过设置电容的外表面设置有吸热部,达到了对电容工作时产生的热量进行吸收的效果,同时降低电容因热量过多而发生胀裂的不利因素,从而具有防爆的特点。

基本信息
专利标题 :
一种半导体雷浪涌抑制器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921796135.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-24
授权号 :
CN210516486U
授权日 :
2020-05-12
发明人 :
江俊
申请人 :
江苏顺烨电子有限公司
申请人地址 :
江苏省常州市金坛区儒林镇园区西路12号
代理机构 :
南通毅帆知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘纪红
优先权 :
CN201921796135.8
主分类号 :
H01G2/08
IPC分类号 :
H01G2/08  H01G2/10  H02H9/02  H02H9/04  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G2/00
H01G4/00-H01G11/00组中单个组未包含的电容器的零部件
H01G2/08
冷却装置;加热装置;通风装置
法律状态
2020-05-12 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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