激励熔断器辅助灭弧结构
授权
摘要
一种激励熔断器辅助灭弧结构，包括上壳体和下壳体，及设置在上壳体与下壳体之间的导电板；在所述上壳体的容置腔中自上而下设置有电子点火爆炸装置和活塞；在所述下壳体上设置有供导电板断开后掉落的容置腔；其特征在于在所述活塞、所述导电板上或所述下壳体的容置腔的底部单独或至少两个部件同时设置有辅助灭弧装置。该辅助灭弧结构可提高激励熔断器分断能力，提高工作可靠性。
基本信息
专利标题 ：
激励熔断器辅助灭弧结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921812787.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-27
授权号 ：
CN210403648U
授权日 ：
2020-04-24
发明人 ：
段少波戈西斌石晓光
申请人 ：
西安中熔电气股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园A区12号现代企业中心东区3-10303室
代理机构 ：
西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
胡思棉
优先权 ：
CN201921812787.6
主分类号 ：
H01H85/38
IPC分类号 ：
H01H85/38
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01H
电开关；继电器；选择器；紧急保护装置
H01H85/00
电流通过其可熔材料的部分，当此电流过大时，由于可熔材料的熔断而使电流中断的保护装置
H01H85/02
零部件
H01H85/38
灭弧或消弧装置
法律状态
2020-04-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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