一种新型输出开关
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摘要
本实用新型提供了一种新型输出开关，属于电力电子技术，该输出开关包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，本实用新型采用介质隔离的高压CMOS工艺，能够解决模拟多路复用器芯片中存在的开关电阻RON随VS变化幅度过大的技术问题，该方案在原有电路的基础上增加了多个MOS管，使开关电阻RON随VS变化幅度显著减小，实现了开关电阻RON波形的平坦化。
基本信息
专利标题 ：
一种新型输出开关
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921824806.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-28
授权号 ：
CN210518249U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
吕强孙忠民郭靖高连山赵红武
申请人 ：
西安硅宇微电子有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区丈八街办锦业一路81号仪表楼5层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921824806.7
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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