一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路,包括脉冲产生器、第一和第二高压MOS管、第一至第三MOS管、第一和第二电阻、RS触发器、第一和第二稳压二极管,第三MOS管的源极引出作为电路的HS端,第二和第三MOS管栅极的共接端引出作为电路的HO端。将第一MOS管采用PMOS管,在HS端信号电平由低电平突变为高电平时,RS触发器的R端下冲信号将开启第一MOS管,将RS触发器的S端电平钳位在高电平,使得R端的下冲信号不会导致HO端误动作。同时引入第一和第二稳压管可很好地保护RS触发器R、S端的电路工作在安全电压范围。因此在本电路中引入第一MOS管及第一和第二稳压管后,可很好的抵制电路HS端电平突变引起的干扰,保证了半桥驱动电路稳定安全地工作。
基本信息
专利标题 :
一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921854201.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-31
授权号 :
CN210536519U
授权日 :
2020-05-15
发明人 :
谭在超张胜丁国华罗寅
申请人 :
苏州锴威特半导体股份有限公司
申请人地址 :
江苏省南京市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层
代理机构 :
南京众联专利代理有限公司
代理人 :
叶倩
优先权 :
CN201921854201.2
主分类号 :
H02M3/335
IPC分类号 :
H02M3/335
法律状态
2020-05-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载