一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路
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摘要
本实用新型涉及一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路，包括脉冲产生器、第一和第二高压MOS管、第一至第三MOS管、第一和第二电阻、RS触发器、第一和第二稳压二极管，第三MOS管的源极引出作为电路的HS端，第二和第三MOS管栅极的共接端引出作为电路的HO端。将第一MOS管采用PMOS管，在HS端信号电平由低电平突变为高电平时，RS触发器的R端下冲信号将开启第一MOS管，将RS触发器的S端电平钳位在高电平，使得R端的下冲信号不会导致HO端误动作。同时引入第一和第二稳压管可很好地保护RS触发器R、S端的电路工作在安全电压范围。因此在本电路中引入第一MOS管及第一和第二稳压管后，可很好的抵制电路HS端电平突变引起的干扰，保证了半桥驱动电路稳定安全地工作。
基本信息
专利标题 ：
一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921854201.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-31
授权号 ：
CN210536519U
授权日 ：
2020-05-15
发明人 ：
谭在超张胜丁国华罗寅
申请人 ：
苏州锴威特半导体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层
代理机构 ：
南京众联专利代理有限公司
代理人 ：
叶倩
优先权 ：
CN201921854201.2
主分类号 ：
H02M3/335
IPC分类号 ：
H02M3/335
法律状态
2020-05-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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