一种免隔离电源的IGBT隔离驱动电路
授权
摘要
本实用新型提供了一种免隔离电源的IGBT隔离驱动电路，包括光耦U1、IGBT和三极管Q1，光耦的第一引脚经电阻R2连接至电源VCC1，第二引脚连接至三极管Q1的集电极，三极管Q1的基极经电容C2连接至其发射极，三极管Q1的基极经电阻R5分别连接至外部的MCU、经电阻R4连接至VCC1，光耦U1的第三引脚接地，光耦U1的第四引脚连接至IGBT的G极，IGBT的G极经电容C1后接地，IGBT的G极经二极管D3后连接至电阻R1的第一端，电阻R1的第一端经二极管D2后接地，电阻R1的第二端连接至电源VCC2，IGBT的E极接地，IGBT的C极经直流负载RL连接至电源VCC2，直流负载RL并联一个二极管D1。本实用新型所述的免隔离电源的IGBT隔离驱动电路，体积小，功耗低，成本低，元器件可靠性较高，隔离能力强。
基本信息
专利标题 ：
一种免隔离电源的IGBT隔离驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921902240.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-06
授权号 ：
CN211089460U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
张雨龙王莉李松泽刘琦于振国李超赵旺旺
申请人 ：
施耐德万高(天津)电气设备有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区高新技术产业开发区华苑产业区（环外）海泰创新六路11号
代理机构 ：
天津滨海科纬知识产权代理有限公司
代理人 ：
李莎
优先权 ：
CN201921902240.5
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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