高纯度锗晶体材料的表面处理装置
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型公开了高纯度锗晶体材料的表面处理装置,涉及光学元件加工技术领域,为解决现有技术中,传统的锗晶体材料的表面处理方式存在的酸洗设备昂贵、操作难度大、对人员的能力要求较高的技术问题,本实用新型的技术方案如下:本实用新型中的高纯度锗晶体材料的表面处理装置,包括盛放锗晶体材料的盛料槽、垫条和加热器;所述盛料槽固定于加热器的发热面,所述盛料槽的顶部为敞开结构,侧面上部开设进水口,所述进水口与进水管路连接,所述进水管路上设有体积流量计和进水阀,所述进水口相对的盛料槽侧面下部开设出水口,所述出水口与出水管路连接,所述出水管路上设有出水阀。

基本信息
专利标题 :
高纯度锗晶体材料的表面处理装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921954056.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-13
授权号 :
CN211199475U
授权日 :
2020-08-07
发明人 :
吴绍华王柯姚杨南曲哲郭晨宇史娜娜张二平孙兴赵竟宇杨伟声王元康木锐
申请人 :
云南北方驰宏光电有限公司
申请人地址 :
云南省曲靖市经济技术开发区
代理机构 :
西安东灵通专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李思琼
优先权 :
CN201921954056.5
主分类号 :
C30B33/10
IPC分类号 :
C30B33/10  C30B29/08  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2021-12-03 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 33/10
变更事项 : 专利权人
变更前 : 云南北方驰宏光电有限公司
变更后 : 云南北方光学科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 655000 云南省曲靖市经济技术开发区
变更后 : 655000 云南省曲靖市经济技术开发区
2020-08-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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