一种高可靠性的MIM电容器
授权
摘要
本实用新型公开了一种高可靠性的MIM电容器，涉及半导体技术领域，该MIM电容器在金属层上设有将金属层分隔为岛状结构的沟槽，金属层上的电容下电极在沟槽正上方开设宽度较小的开口槽，沟槽、开口槽以及电容下电极表面部分区域均覆盖氧化硅，电容下电极表面的氧化硅形成间隔结构，电容下电极上依次淀积介质层和电容上电极；该结构中电容的有效区域为电容下电极表面的氧化硅之间的间隔区域，完全避开了电极刻蚀的位置，不会受到任何刻蚀工艺的损伤，同时介质层上直接淀积电容下电极，电容的有效区域未经过任何的工艺过程，因此器件的可靠性极高，另外氧化硅淀积保护隔离使得开口槽处尖角位置不会对介质层造成影响，大幅提高电容可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种高可靠性的MIM电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921960916.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-13
授权号 ：
CN210443583U
授权日 ：
2020-05-01
发明人 ：
范捷万立宏王绍荣
申请人 ：
江苏丽隽功率半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市五湖大道11号蠡湖科创中心南楼1209室
代理机构 ：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂启新
优先权 ：
CN201921960916.6
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02
法律状态
2020-05-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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