一种平板式PECVD专用托盘
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摘要
本实用新型公开了一种平板式PECVD专用托盘，包括：托盘主体；通口，四个所述通口沿前后方向间隙开设在托盘主体的顶端；十字杆，所述十字杆安装在通口的内腔底端；第一插槽，两个所述第一插槽分别开设在托盘主体的左侧前后两端；第二插槽，所述第二插槽开设在第一插槽的内腔底端；还包括卡紧机构、插块和通孔，两个所述卡紧机构固定安装在托盘主体的上表面左侧前后两端与第一插槽相对应位置。该平板式PECVD专用托盘，可实现相邻的托盘拼接组装在一起，便于根据所需承载硅片的数量对托盘进行逐步拼接扩展，并且部分出现损坏时，可将出现损坏部分拆卸下来进行更换，无需整体更换，避免造成浪费，满足企业的使用需求，有利于广泛推广。
基本信息
专利标题 ：
一种平板式PECVD专用托盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921972935.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-15
授权号 ：
CN211394618U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
陈金元
申请人 ：
理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请人地址 ：
江苏省泰州市泰兴高新技术产业开发区环溪路北侧
代理机构 ：
苏州国卓知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘静宇
优先权 ：
CN201921972935.0
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/50
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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